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單晶硅差壓變送器

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更新時(shí)間:2021-09-30 16:22:48瀏覽次數(shù):353

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

測(cè)量范圍 -20~80℃ 測(cè)溫分辨率 0.5
是否進(jìn)口 型號(hào) ZH-3351JDR
隨著微電子機(jī)械加工系統(tǒng)技術(shù)的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來(lái)一場(chǎng)新的革命评梁,對(duì)于壓力、差壓犁鹤、液位傳感器而言责肯,其封裝的傳感器芯片本質(zhì)將決定最終產(chǎn)品的性能與等級(jí)。以目前國(guó)際市場(chǎng)上廣泛采用的硅芯片技術(shù)而言舞轧,硅壓阻技術(shù)加工工藝成熟诬翩,但其信噪比特性與溫度特性有待提高

詳細(xì)介紹


單晶硅差壓變送器

發(fā)布時(shí)間:2021-09-08     瀏覽次數(shù):230  <strong><strong>單晶硅差壓變送器</strong></strong>  隨著微電子機(jī)械加工系統(tǒng)技術(shù)的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來(lái)一場(chǎng)新的革命,對(duì)于壓力饶几、差壓价秉、液位傳感器而言,其封裝的傳感器芯片本質(zhì)將決定最終產(chǎn)品的性能與等級(jí)暮态。以目前國(guó)際市場(chǎng)上廣泛采用的硅芯片技術(shù)而言鹦赎,硅壓阻技術(shù)加工工藝成熟,但其信噪比特性與溫度特性有待提高误堡;硅諧振技術(shù)加工工藝復(fù)雜過(guò)壓特性不好古话;本公司3351J系列單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì),其材質(zhì)特性優(yōu)于市場(chǎng)上通用的復(fù)合硅锁施、擴(kuò)散硅材料陪踩,芯片采用德國(guó)的單晶硅雙梁懸浮式技術(shù),結(jié)合了硅壓阻與硅諧振技術(shù)雙方特點(diǎn)悉抵,并從設(shè)計(jì)與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化肩狂,實(shí)現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定性姥饰、低溫度影響傻谁、超高過(guò)壓等優(yōu)異性能,*適用于工業(yè)過(guò)程控制列粪、自動(dòng)化制造审磁、航天航空、汽車(chē)與船舶岂座、醫(yī)療衛(wèi)生等多個(gè)領(lǐng)域态蒂。
一、單晶硅差壓變送器性能特點(diǎn):
1拉诲、高純度單晶硅材質(zhì)赤蚜,有效提高產(chǎn)品壽命及長(zhǎng)期穩(wěn)定性
2、雙惠斯通電橋設(shè)計(jì)威卑,雙梁"電阻溫度特性互補(bǔ)枕篡,提高芯片抗*力
3LCD帶背光顯示數(shù)字表頭可以顯示壓力、百分比和電流及模擬指示
4生香、通過(guò)按鍵組合操作能實(shí)現(xiàn)調(diào)零和調(diào)滿功能舌捡,以及數(shù)據(jù)恢復(fù)功能,方便了現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試
5藐病、信號(hào)轉(zhuǎn)換渐位、信號(hào)采集與處理及電流輸出控制采用了一體化專用集成電路(ASICS)使智能變送器具有高穩(wěn)定、高可靠赏庙、高抗震等特點(diǎn)栋昙,并具有良好的互換性
二、單晶硅差壓變送器技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品型號(hào):ZH3351JDP-單晶硅差壓變送器ZH3351JDR-單晶硅微差壓變送器
測(cè)量原理:?jiǎn)尉Ч钁腋∈?br style="box-sizing: border-box;padding: 0px;list-style: none"/>適用場(chǎng)合:水壓鸯乃、油壓鲸阻、氣壓、負(fù)壓
測(cè)量范圍:-400~400kPa量程可選
測(cè)量精度:±0.1%缨睡;±0.075%
電源:DC10.5~45V
輸出:DC4~20mA+HART


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