BTSR DY5 接頭

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濟南友田機械設備有限公司，主營各種進口工業(yè)機械設備及其配件豹女，儀器儀表摹削，實驗室器材，化學試劑拷肌。公司專注于進口歐美工業(yè)產(chǎn)品到旦，各種工業(yè)配件，儀器小到工業(yè)用的螺絲巨缘，大到幾百公斤重的電機添忘。公司現(xiàn)在美國，德國若锁，意大利分別設有辦事處和庫房搁骑，采用就近采購原則，節(jié)省了采購成本又固，從而讓利于客戶仲器，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和貨期。

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介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應電荷而削弱電場仰冠，原外加電場（真空中）與終介質(zhì)中電場比值即為介電常數(shù)( permittivity）又稱誘電率娄周，與頻率相關。介電常數(shù)是相對介電常數(shù)與真空中介電常數(shù)乘積沪停。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中煤辨，電場的強度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。理想導體的相對介電常數(shù)為無窮大盒止。

根據(jù)物質(zhì)的介電常數(shù)可以判別高分子材料的極性大小侥锨。通常，相對介電常數(shù)大于3.6的物質(zhì)為極性物質(zhì)；相對介電常數(shù)在2.8~3.6范圍內(nèi)的物質(zhì)為弱極性物質(zhì)扇殃；相對介電常數(shù)小于2.8為非極性物質(zhì)鲤境。

測量方法

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相對介電常數(shù)εr可以用靜電場用如下方式測量：首先在兩塊極板之間為真空的時候測試電容器的電容C0。然后投戴，用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質(zhì)后測得電容Cx丛疲。然后相對介電常數(shù)可以用下式計算

εr=Cx/C0

在標準大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率εr=1.00053梢跳。因此砍毡，用這種電極構形在空氣中的電容Ca來代替C0來測量相對電容率εr時，也有足夠的準確度仲峡。（參考GB/T 1409-2006）

對于時變電磁場聂袱，物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關，通常稱為介電系數(shù)酵逾。 [1] 

常見溶劑

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附常見溶劑的相對介電常數(shù)欠捶，條件為室溫下，測試頻率為1KHz尝盼。

溫度對介電常數(shù)的影響

H2O （水） 78.5

HCOOH （甲酸） 58.5

HCON（CH3）2 （N,N-二甲基甲酰胺）36.7

CH3OH （甲醇） 32.7

C2H5OH （乙醇） 24.5

CH3COCH3 （丙酮） 20.7

n-C6H13OH （正己醇）13.3

CH3COOH （乙酸或醋酸） 6.15

C6H6 （苯） 2.28

CCl4 （*） 2.24

n-C6H14 （正己烷）1.88

n-C4H10（四號溶劑） 1.78 [1] 

電介質(zhì)

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相關解釋

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"介電常數(shù)" 在工具書中的解釋：

1.又稱電容率或相對電容率吞滞，表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個重要數(shù)據(jù)，常用ε表示盾沫。它是指在同一電容器中用同一物質(zhì)為電介質(zhì)和真空時的電容的比值冯吓，表示電介質(zhì)在電場中貯存靜電能的相對能力〈埽空氣和CS2的ε值分別為1.0006和2.6左右组贺，而水的ε值較大，10℃時為 83.83祖娘。

2.介電常數(shù)是物質(zhì)相對于真空來說增加電容器電容能力的度量失尖。介電常數(shù)隨分子偶極矩和可極化性的增大而增大。在化學中渐苏，介電常數(shù)是溶劑的一個重要性質(zhì)掀潮，它表征溶劑對溶質(zhì)分子溶劑化以及隔開離子的能力。介電常數(shù)大的溶劑琼富，有較大隔開離子的能力仪吧，同時也具有較強的溶劑化能力。介電常數(shù)用ε表示翎噩，一些常用溶劑的介電常數(shù)見下表：

"介電常數(shù)" 在學術文獻中的解釋：

1.介電常數(shù)是指物質(zhì)保持電荷的能力谷娇，損耗因數(shù)是指由于物質(zhì)的分散程度使能量損失的大小。理想的物質(zhì)的兩項參數(shù)值較小治弯。

介電常數(shù)與頻率變化的關系

其介質(zhì)常數(shù)具有復數(shù)形式灼鞋，實數(shù)部分稱為介電常數(shù)桨拉，虛數(shù)部分稱為損耗因子。通常用損耗角的正切值tanθ（損耗因子與介電常數(shù)之比）來表示材料與微波的耦合能力孙悦，損耗正切值越大涎捆，材料與微波的耦合能力就越強。

3.介電常數(shù)是指在同一電容器中用某一物質(zhì)為電介質(zhì)與該電容器在真空中的電容的比值疤巩。在高頻線路中信號傳播速度的公式如下：V=K灯葡。

4.為簡單起見，后面將相對介電常數(shù)均稱為介電常數(shù)狮屏。反射脈沖信號的強度结阅，與界面的波反射系數(shù)和透射波的衰減系數(shù)有關，主要取決于周圍介質(zhì)與反射體的電導率和介電常數(shù)斥滤。[2] 

應用

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近十年來将鸵，半導體工業(yè)界對低介電常數(shù)材料的研究日益增多勉盅，材料的種類也五花八門佑颇。然而這些低介電常數(shù)材料能夠在集成電路生產(chǎn)工藝中應用的速度卻遠沒有人們想象的那么快。其主要

低介電常數(shù)薄膜機械性質(zhì)量測結果

原因是許多低介電常數(shù)材料并不能滿足集成電路工藝應用的要求草娜。圖2是不同時期半導體工業(yè)界預計低介電常數(shù)材料在集成電路工藝中應用的前景預測挑胸。

早在1997年，人們就認為在2003年宰闰，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數(shù)（k值）將達到1.5茬贵。然而隨著時間的推移，這種樂觀的估計被不斷更新移袍。到2003年解藻，半導體技術規(guī)劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數(shù)材料在集成電路未來幾年的應用，其介電常數(shù)范圍已經(jīng)變成2.7~3.1葡盗。

造成人們的預計與現(xiàn)實如此大差異的原因是螟左，在集成電路工藝中，低介電常數(shù)材料必須滿足諸多條件觅够，例如：足夠的機械強度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構胶背、高楊氏系數(shù)（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm）尽由、低漏電（leakage current<10-9 at 1MV/cm）爹蒋、高熱穩(wěn)定性（thermal stability >450oC）、良好的粘合強度（adhesion strength）野戏、低吸水性（low moisture uptake）遵非、低薄膜應力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）哺挺、低熱漲系數(shù)（coefficient of thermal expansion）以及與化學機械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等焚怨。能夠滿足上述特性的低介電常數(shù)材料并不容易獲得武敦。例如，薄膜的介電常數(shù)與熱傳導系數(shù)往往就呈反比關系铺描。因此使义，低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

在超大規(guī)模集成電路制造商中蟆导，TSMC燥及、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發(fā)90nm及其以下技術的研究蜕煌，先后選用了應用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數(shù)材料派阱。該材料采用PE-CVD技術[8] ，與現(xiàn)有集成電路生產(chǎn)工藝*融合斜纪，并且引入BLOk薄膜作為低介電常數(shù)材料與金屬間的隔離層贫母，很好的解決了上述提及的諸多問題，是已經(jīng)用于集成電路商業(yè)化生產(chǎn)為數(shù)不多的低介電常數(shù)材料之一盒刚。